Λεπτομέρειες για το προϊόν
Τόπος καταγωγής: Κίνα
Μάρκα: VBE
Αριθμό μοντέλου: Vbe-S2/S3/S4
Όροι πληρωμής και αποστολής
Ποσότητα παραγγελίας min: 1PCS
Συσκευασία λεπτομέρειες: Ουδέτερη συσκευασία
Χρόνος παράδοσης: 5 έως 10 εργάσιμες ημέρες
Δυνατότητα προσφοράς: 100000PCS το μήνα
Συνδετήρας RF: |
Ν-θηλυκός |
Χειρισμός δύναμης (W): |
50 |
Σύνθετη αντίσταση (Ω): |
50 |
V.S.W.R: |
≤1.25 |
Κατευθυντικότητα το (dB): |
≥20 |
Φάσμα συχνότητας (MHZ): |
806~960 & 1710~2500 |
Συνδετήρας RF: |
Ν-θηλυκός |
Χειρισμός δύναμης (W): |
50 |
Σύνθετη αντίσταση (Ω): |
50 |
V.S.W.R: |
≤1.25 |
Κατευθυντικότητα το (dB): |
≥20 |
Φάσμα συχνότητας (MHZ): |
806~960 & 1710~2500 |
Θραύστης 800-2700MHz 2 δύναμης RF τρόπος τρόπος/3 τρόπος/4
Χαρακτηριστικά γνωρίσματα:
Χαμηλή απώλεια εισαγωγής, υψηλή απομόνωση, αξιόπιστος, κατάλληλη για το σύστημα κινητής επικοινωνίας μικροκυμάτων.
Οι συγκεκριμένες παράμετροι μπορούν να σχεδιαστούν σύμφωνα με τις απαιτήσεις του χρήστη.
Εφαρμογές:
Βελτιστοποίηση δικτύων κινητής επικοινωνίας και εσωτερικό σύστημα διανομής.
Τεχνικές προδιαγραφές:
| Στοιχεία | 2-way | 3-way | 4-τρόπος |
| Διαμορφώστε το αριθ. | Vbe-S2 | Vbe-S3 | Vbe-S4 |
| Φάσμα συχνότητας (MHZ) | 806~960 & 1710~2500 | ||
| Απώλεια θραυστών (DB) | 3 | 4.8 | 6 |
| Απώλεια εισαγωγής (DB) | ≤0.3 | ≤0.4 | ≤0.6 |
| Κατευθυντικότητα (DB) | ≥20 | ||
| Ενδοδιαμόρφωση | ≥140dBc (+43dBm*2) | ||
| V.S.W.R | ≤1.25 | ||
| Σύνθετη αντίσταση (Ω) | 50 | ||
| Χειρισμός δύναμης (W) | 50 | ||
| Συνδετήρας RF | Ν-θηλυκός | ||
| Λειτουργούσα θερμοκρασία | -35 ºC ~+60 ºC | ||
